Samsung начинает массовое производство самой маленькой в отрасли памяти DDR5 DRAM, объявила компания во вторник.
Новая 14-нанометровая память EUV DDR5 DRAM составляет всего 14 нанометров и использует пять уровней технологии экстремального ультрафиолета (EUV). Он может достигать скорости до 7,2 гигабит в секунду, что более чем в два раза превышает скорость DDR4. Samsung также утверждает, что ее новая технология EUV обеспечивает DDR5 DRAM самую высокую плотность битов, повышая при этом производительность на 20% и снижая энергопотребление на 20%.
EUV становится все более и более важным, поскольку размер DRAM продолжает уменьшаться. По словам Samsung, это помогает повысить точность формирования шаблона, что необходимо для повышения производительности и увеличения выхода продукции. Экстремальная миниатюризация 14-нм DDR5 DRAM была невозможна до использования традиционного метода производства фтористого аргона (ArF), и компания надеется, что ее новая технология поможет удовлетворить потребность в большей производительности и емкости в таких областях, как 5G и искусственный интеллект.
Забегая вперед, Samsung заявила, что хочет создать 24-гигабитный 14-нм чип DRAM, чтобы удовлетворить потребности глобальных ИТ-систем. Компания также планирует расширить свой портфель 14-нм DDR5 для поддержки центров обработки данных, суперкомпьютеров и корпоративных серверных приложений.
